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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
59
左右 -136% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.0
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
25
读取速度,GB/s
4,168.0
15.5
写入速度,GB/s
1,855.7
10.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
2832
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
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