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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
59
左右 -136% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
15.2
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
25
读取速度,GB/s
4,168.0
19.0
写入速度,GB/s
1,855.7
15.2
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
3541
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
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