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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
26.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
14
59
左右 -321% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
19.8
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
14
读取速度,GB/s
4,168.0
26.4
写入速度,GB/s
1,855.7
19.8
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
4362
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM的比较
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
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A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
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Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
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