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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
59
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
30
读取速度,GB/s
4,168.0
17.5
写入速度,GB/s
1,855.7
14.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
3575
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
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Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
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