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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
13.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
59
左右 -51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.5
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
39
读取速度,GB/s
4,168.0
13.7
写入速度,GB/s
1,855.7
8.5
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
2364
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
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Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
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