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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
59
左右 -51% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.7
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
39
读取速度,GB/s
4,168.0
14.1
写入速度,GB/s
1,855.7
10.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
2183
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
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Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
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