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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
59
左右 -59% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.3
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
37
读取速度,GB/s
4,168.0
14.0
写入速度,GB/s
1,855.7
9.3
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
2327
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
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Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 9905471-011.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
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