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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
59
左右 -127% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.8
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
26
读取速度,GB/s
4,168.0
19.2
写入速度,GB/s
1,855.7
12.8
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
3180
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM的比较
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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