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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
55
59
左右 -7% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.9
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
55
读取速度,GB/s
4,168.0
16.0
写入速度,GB/s
1,855.7
12.9
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
2699
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
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