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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
比较
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
总分
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
总分
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
59
左右 -157% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.7
1,855.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
23
读取速度,GB/s
4,168.0
16.4
写入速度,GB/s
1,855.7
11.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
680
2575
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB RAM的比较
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
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