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Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
比较
Maxsun MSD416G26Q3 16GB vs Kingston KVR24N17S8/4 4GB
总分
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
总分
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
84
左右 -300% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
12.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.1
7.0
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
84
21
读取速度,GB/s
12.5
15.4
写入速度,GB/s
7.0
7.1
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1486
2073
Maxsun MSD416G26Q3 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
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