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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.1
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
10.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
27
读取速度,GB/s
10.5
13.5
写入速度,GB/s
7.1
6.8
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
2172
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
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Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
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