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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
31
左右 6% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.4
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
31
读取速度,GB/s
10.5
18.4
写入速度,GB/s
7.1
14.2
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
3500
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
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