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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
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规格
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
28
读取速度,GB/s
10.5
18.2
写入速度,GB/s
7.1
13.7
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
3389
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
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calculate
Absolute Latency
0 ns
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Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
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