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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
76
左右 62% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.1
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.3
10.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
76
读取速度,GB/s
10.5
13.3
写入速度,GB/s
7.1
7.0
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
1513
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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