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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
16
29
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.3
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
21.2
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
8500
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
16
读取速度,GB/s
10.5
22.3
写入速度,GB/s
7.1
21.2
内存带宽,mbps
8500
17000
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
3952
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
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