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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
30
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.6
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
30
读取速度,GB/s
10.5
15.5
写入速度,GB/s
7.1
7.6
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
2208
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB RAM的比较
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
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