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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Kingston 9965669-031.A00G 16GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
95
左右 69% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.9
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
95
读取速度,GB/s
10.5
10.9
写入速度,GB/s
7.1
9.5
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
1725
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
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