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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
32
左右 9% 更低的延时
需要考虑的原因
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
20.6
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
8500
左右 3.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
32
读取速度,GB/s
10.5
20.6
写入速度,GB/s
7.1
14.7
内存带宽,mbps
8500
25600
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
3393
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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