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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
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规格
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差异
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
28
读取速度,GB/s
10.5
17.7
写入速度,GB/s
7.1
14.6
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
3567
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
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Kingston 9965525-023.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
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