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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
38
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.5
8.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.1
7.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
38
读取速度,GB/s
10.5
8.7
写入速度,GB/s
7.1
7.0
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
1999
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905734-022.A00G 16GB
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
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SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
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