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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
比较
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
总分
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
总分
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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规格
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差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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需要考虑的原因
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
29
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
10.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.1
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
8500
左右 2.26 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
29
18
读取速度,GB/s
10.5
20.4
写入速度,GB/s
7.1
18.1
内存带宽,mbps
8500
19200
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1425
3529
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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