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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
比较
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
总分
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
总分
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
75
左右 47% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
75
读取速度,GB/s
13.6
15.6
写入速度,GB/s
8.3
7.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2035
1717
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
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