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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
比较
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
总分
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
总分
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
差异
规格
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
40
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.3
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.9
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
23
读取速度,GB/s
13.6
16.3
写入速度,GB/s
8.3
11.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2035
2629
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
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