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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
比较
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
总分
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
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规格
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差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
34
40
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
34
读取速度,GB/s
13.6
16.4
写入速度,GB/s
8.3
13.0
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2035
3123
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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