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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
比较
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
总分
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
13.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
27
读取速度,GB/s
13.6
18.7
写入速度,GB/s
8.3
15.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2035
3772
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
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