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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
28
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
24
读取速度,GB/s
12.9
16.4
写入速度,GB/s
9.0
11.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
3005
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
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Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
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