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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
28
左右 -27% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
22
读取速度,GB/s
12.9
17.2
写入速度,GB/s
9.0
13.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
3142
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
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