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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
30
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
30
读取速度,GB/s
12.9
19.0
写入速度,GB/s
9.0
14.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
3435
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
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