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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
31
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
31
读取速度,GB/s
12.9
16.7
写入速度,GB/s
9.0
12.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
3055
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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