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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
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规格
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
28
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.3
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
23
读取速度,GB/s
12.9
21.3
写入速度,GB/s
9.0
16.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
4151
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
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