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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
32
左右 13% 更低的延时
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
32
读取速度,GB/s
12.9
16.6
写入速度,GB/s
9.0
13.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
3277
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
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Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
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