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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 24% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.9
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
37
读取速度,GB/s
12.9
14.9
写入速度,GB/s
9.0
10.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
2814
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
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