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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston 9905704-007.A00G 4GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
101
左右 72% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.0
6.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.2
12.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
101
读取速度,GB/s
12.9
14.2
写入速度,GB/s
9.0
6.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
1399
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-010.A00G 8GB
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Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
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