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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB

总分
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

总分
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Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB

差异 规格 评论

差异

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 36
    左右 22% 更低的延时
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB 需要考虑的原因
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.8 left arrow 12.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.6 left arrow 9.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    28 left arrow 36
  • 读取速度，GB/s
    12.9 left arrow 15.8
  • 写入速度，GB/s
    9.0 left arrow 12.6
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2112 left arrow 2835

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