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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
36
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.7
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
36
读取速度,GB/s
12.9
13.7
写入速度,GB/s
9.0
10.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
2504
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
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