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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
35
左右 20% 更低的延时
需要考虑的原因
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
35
读取速度,GB/s
12.9
18.0
写入速度,GB/s
9.0
11.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
3141
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
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