RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.9
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
6.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
12.9
10.0
写入速度,GB/s
9.0
6.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
1693
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link