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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
比较
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
总分
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
34
左右 18% 更低的延时
需要考虑的原因
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
12.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
34
读取速度,GB/s
12.9
17.3
写入速度,GB/s
9.0
14.7
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2112
3145
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
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