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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
比较
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
总分
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
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规格
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差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
43
左右 -65% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.3
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
6.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
26
读取速度,GB/s
10.6
15.3
写入速度,GB/s
6.9
11.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1647
2987
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
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