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Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
比较
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
总分
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
总分
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
53
左右 19% 更低的延时
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.1
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.2
6.9
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
43
53
读取速度,GB/s
10.6
11.1
写入速度,GB/s
6.9
7.2
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1647
1885
Micron Technology 16KTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM的比较
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Elpida EBJ81UG8EFU0-GN-F 8GB RAM的比较
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
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