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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
比较
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB vs Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
总分
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
总分
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13% 更高的带宽
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
57
左右 -84% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
9.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.4
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
57
31
读取速度,GB/s
9.5
19.2
写入速度,GB/s
7.4
13.9
内存带宽,mbps
19200
17000
Other
描述
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
3341
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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