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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs AMD R7416G2400U2S 16GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
AMD R7416G2400U2S 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R7416G2400U2S 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
58
左右 -164% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
22
读取速度,GB/s
4,025.3
18.1
写入速度,GB/s
2,107.0
14.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3260
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
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