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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
58
左右 -205% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
19
读取速度,GB/s
4,025.3
17.3
写入速度,GB/s
2,107.0
10.6
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
2845
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
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Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
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