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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
58
左右 -45% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
40
读取速度,GB/s
4,025.3
19.2
写入速度,GB/s
2,107.0
10.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
2674
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
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