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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
58
左右 -53% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
38
读取速度,GB/s
4,025.3
14.3
写入速度,GB/s
2,107.0
11.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
2839
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
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