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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
14.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
21
58
左右 -176% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
21
读取速度,GB/s
4,025.3
18.8
写入速度,GB/s
2,107.0
14.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3567
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB RAM的比较
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
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