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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB

总分
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

总分
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Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB

Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB

差异 规格 评论

差异

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB 需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    4 left arrow 17.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,107.0 left arrow 13.4
    测试中的平均数值
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 58
    左右 -164% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    58 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    4,025.3 left arrow 17.8
  • 写入速度，GB/s
    2,107.0 left arrow 13.4
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    670 left arrow 3036

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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
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内存RAM
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
内存RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
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内存RAM
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
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内存RAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
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内存RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Kingston KF548C38-16 16GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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