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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
比较
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
总分
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
总分
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,107.0
14.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
58
左右 -93% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
30
读取速度,GB/s
4,025.3
14.9
写入速度,GB/s
2,107.0
14.2
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
670
3332
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
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Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
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