Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB

总分
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

总分
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    4 left arrow 17.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    2,107.0 left arrow 13.9
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    29 left arrow 58
    左右 -100% 更低的延时
  • 更高的内存带宽,mbps
    21300 left arrow 6400
    左右 3.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时,ns
    58 left arrow 29
  • 读取速度,GB/s
    4,025.3 left arrow 17.3
  • 写入速度,GB/s
    2,107.0 left arrow 13.9
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    670 left arrow 3134
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